Братия Samsung проинформировала о произведении наторелого 256-Мбит массива памяти SRAM с использованием 3-нм техпроцесса и совершенного новейших триодов MBCFET. Образчик разрешил удостоверить характеристики будущего техпроцесса.
Samsung успешно создала 3-нм чип на совершенно новых транзисторах: быстрее, экономичнее, плотнее